IBM研发出最新多位相变存储器

　　IBM已经开发了最新的多相变内存

　　根据美国物理学家网络最近的一份报告，IBM科学家演示了最新的多相变化存储器，每个存储器可以长时间可靠地存储多个字节的数据。最新的技术是向更低成本，更快，更持久的存储技术迈出的一大步，可用于广泛的消费电子设备，包括移动电话，云存储和企业数据存储，以满足苛刻的性能要求。相变存储器（PCM）结合了速度，耐用性，非易失性和密度的优点，以及读写数据的速度，并将数据恢复到最广泛使用的非易失性闪存的100倍，闪存的100倍，闪存减少100％，断电时减少100％，无数据丢失。写周期，消费级闪存只有3000次。使用PCM（各种元素合金）从低电阻值晶体转变到非晶态高电阻值到数据字节的电阻值被存储。在PCM电池中，相变材料被放置在上电极和下电极之间。科学家可以通过施加不同电压或强度的电流脉冲来控制相变。这些电压或脉冲加热材料，当它达到不同的温度阈值时，材料从结晶变为非晶，反之亦然。一些相变材料可能会发生取决于电极之间的电压大小，这直接影响存储单元的电阻。考虑到这一点，科学家们已经成功地将多个字节存储在一个存储单元中。在最新的研究中，科学家利用四个不同的阻力区域来存储字节组合“00”，“01”，“10”和“11”。为了达到一定的可靠性，科学家们采用迭代“写”的方法来克服由于存储单元和相变材料本身的变化而引起的电阻漂移。采用迭代方法，最糟糕的写入延迟只有10微秒，是当今市场上最先进的闪存性能的100倍。另外，为了可靠地读取数据，科学家们还采用先进的调制编码技术来解决电阻漂移（由于非晶态结构原子很松散，相变，电阻值随着时间的推移而增加，在读取数据时出错）。这种编码技术的基本原理是在正常情况下，不同电阻值编码的存储器单元的相对顺序不会因漂移而改变。最新的PCM测试芯片具有20万个存储单元，数据保留实验为5个月，这意味着一些PCM可以达到实用的可靠性。 IBM研究院苏黎世研究中心的记忆和检测技术负责人Harris Bozidis说：“迄今为止，科学家们首次在多个PCM上演示了单字节PCM的可靠数据存储。确认可靠和持久的数据存储首次满足了企业应用所需的可靠性，不久我们就能够开发出一种由多种PCM组成的实用存储设备，使企业信息技术和存储系统在未来五年内得到发展。变化发生了。 “结果